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SOT227碳化硅MOSFET模块B2M012120N
发布时间:2024-01-20        浏览次数:61        返回列表
 基本™(BASiC Semiconductor)PcoreTM2 E2B 全碳化硅半桥MOSFET模块-工业级全碳化硅功率模块-倾佳电子(Changer Tech)专业分销
PcoreTM2 E2B 全碳化硅半桥MOSFET模块BMF240R12E2G3 BMF240R12E2C4-倾佳电子(Changer Tech)专业分销
基本™(BASiC Semiconductor)SOT227碳化硅MOSFET模块B2M012120N
适用于液冷充电桩电源的基本™(BASiC Semiconductor)SiC碳化硅MOSFET模块-倾佳电子(Changer Tech)专业分销
适用于三相三电平维也纳PFC的基本™(BASiC Semiconductor)SiC碳化硅MOSFET模块-倾佳电子(Changer Tech)专业分销
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倾佳电子(Changer Tech)致力于国产碳化硅(SiC)MOSFET功率器件在电力电子市场的推广!Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!
 
Changer Tech倾佳电子业务热线:13266663313(微信同号) 杨茜 电子邮件:sunsanna@changer-tech.com
 
碳化硅(SiC)功率模块在工业市场有许多应用。这些模块通常用于提高电能转换和控制系统的效率,同时在高温和高频率环境下表现良好。以下是碳化硅功率模块在工业市场中的一些主要应用:
电机驱动和控制: 碳化硅功率模块可用于工业电机驱动系统,提供高效率和高功率密度,降低能源损耗。
电源和逆变器: 在工业设备中,SiC功率模块可用于设计高效率的电源和逆变器,适用于工业自动化、机床和其他高功率应用。
可再生能源系统: 碳化硅功率模块在太阳能逆变器和风力发电系统中得到广泛应用,提高了能源转换效率。
焊接设备: 在工业焊接系统中,SiC功率模块可以提供更高的功率密度、更高的频率响应和更高的效率。
电力传输与分配: SiC功率模块可用于电力输配系统,提供高效的电力转换和分配。
电气化交通: 在高速列车和电动汽车中,碳化硅功率模块可以提供更高的功率密度,减轻设备重量,提高系统效率。
工业加热系统: 在高温加热系统中,SiC功率模块可以提供更高的温度稳定性和更高的效率。
这些应用表明碳化硅功率模块在工业环境中能够提供更高效、更可靠的解决方案,有助于提高系统性能并减少能源消耗。
 
BASiC基本™(BASiC Semiconductor)第二代SiC碳化硅MOSFET两大主要特色:
 
1.出类拔萃的可靠性:相对竞品较为充足的设计余量来确保大规模制造时的器件可靠性。
BASiC基本™(BASiC Semiconductor)第二代SiC碳化硅MOSFET 1200V系列击穿电压BV值实测在1700V左右,高于市面主流竞品,击穿电压BV设计余量可以抵御碳化硅衬底外延材料及晶圆流片制程的摆动,能够确保大批量制造时的器件可靠性,这是BASiC基本™(BASiC Semiconductor)第二代SiC碳化硅MOSFET最关键的品质. BASiC基本™(BASiC Semiconductor)第二代SiC碳化硅MOSFET雪崩耐量裕量相对较高,也增强了在电力电子系统应用中的可靠性。
 
2.可圈可点的器件性能:同规格较小的Crss带来出色的开关性能。
BASiC基本™(BASiC Semiconductor)第二代SiC碳化硅MOSFET反向传输电容Crss 在市面主流竞品中是比较小的,带来关断损耗Eoff也是市面主流产品中非常出色的,优于部分海外竞品,特别适用于LLC应用,典型应用如充电桩电源模块后级DC-DC应用。
 
Ciss:输入电容(Ciss=Cgd+Cgs) ⇒栅极-漏极和栅极-源极电容之和:它影响延迟时间;Ciss越大,延迟时间越长。BASiC基本™(BASiC Semiconductor)第二代SiC碳化硅MOSFET 优于主流竞品。
Crss:反向传输电容(Crss=Cgd) ⇒栅极-漏极电容:Crss越小,漏极电流上升特性越好,这有利于MOSFET的损耗,在开关过程中对切换时间起决定作用,高速驱动需要低Crss。
Coss:输出电容(Coss=Cgd+Cds)⇒栅极-漏极和漏极-源极电容之和:它影响关断特性和轻载时的损耗。如果Coss较大,关断dv/dt减小,这有利于噪声。但轻载时的损耗增加。
 
基本™(BASiC Semiconductor)B2M第二代碳化硅MOSFET器件主要特色:
• 比导通电阻降低40%左右
• Qg降低了60%左右
• 开关损耗降低了约30%
• 降低Coss参数,更适合软开关
• 降低Crss,及提高Ciss/Crss比值,降低器件在串扰行为下误导通风险
• 最大工作结温175℃• HTRB、 HTGB+、 HTGB-可靠性按结温Tj=175℃通过测试
• 优化栅氧工艺,提高可靠性
• 高可靠性钝化工艺
• 优化终端环设计,降低高温漏电流
• AEC-Q101
 
基本™(BASiC Semiconductor)推出工业级全碳化硅MOSFET功率模块Pcore™2 E2B,BMF240R12E2G3基于高性能 6英寸晶圆平台设计,在比导通电阻、开关损耗、抗误导通、抗双极性退化等方面表现出色。
 
BMF240R12E2G3 BMF240R12E2C4可以替代英飞凌FF4MR12W2M1H_B70,FF6MR12W2M1HP_B11,FF6MR12W2M1H_B11,安森美NXH006P120MNF2,wolfspeed的CAB006A12GM3T,CAB006M12GM3T,CAB006M12GM3,CAB006A12GM3。
 
 
产品优势
- 更稳定导通电阻
新型内部构造极大抑制了碳化硅晶体缺陷引起的Rds(on)波动。
- 更优异抗噪特性
宽栅-源电压范围(Vgss: -10V~+25V),及更高阈值电压范围(Vth: 3V~5V),便于栅极驱动设计。
- 更高可靠性
高性能氮化硅AMB陶瓷基板及高温焊料引入,改善长期高温度冲击循环的CTE失配。
 
应用领域:燃料电池DCDC、数据中心UPS、大功率快速充电桩等。
 
倾佳电子(Changer Tech)专业分销基本™(BASiC Semiconductor)国产车规级碳化硅(SiC)MOSFET,国产车规级AEC-Q101碳化硅(SiC)MOSFET,国产车规级PPAP碳化硅(SiC)MOSFET,全碳化硅MOSFET模块,Easy封装全碳化硅MOSFET模块,62mm封装全碳化硅MOSFET模块,Full SiC Module,SiC MOSFET模块适用于超级充电桩,V2G充电桩,高压柔性直流输电智能电网(HVDC),空调热泵驱动,机车辅助电源,储能变流器PCS,光伏逆变器,超高频逆变焊机,超高频伺服驱动器,高速电机变频器等,光伏逆变器专用直流升压模块BOOST Module,储能PCS变流器ANPC三电平碳化硅MOSFET模块,光储碳化硅MOSFET。专业分销基本™(BASiC Semiconductor)SiC碳化硅MOSFET模块及分立器件,全力支持中国电力电子工业发展!
 
汽车级全碳化硅功率模块是BASiC基本™(BASiC Semiconductor)为新能源汽车主逆变器应用需求而研发推出的系列MOSFET功率模块产品,包括Pcore™6‍汽车级HPD模块、‍Pcore™2‍汽车级DCM模块、‍Pcore™1‍汽车级TPAK模块、Pcore™2‍汽车级ED3模块等,采用银烧结技术等BASiC基本™(BASiC Semiconductor)最新的碳化硅 MOSFET 设计生产工艺,综合性能达到国际先进水平,通过提升动力系统逆变器的转换效率,进而提高新能源汽车的能源效率和续航里程。主要产品规格有:BMS800R12HWC4_B02,BMS600R12HWC4_B01,BMS950R12HWC4_B02,BMS700R12HWC4_B01,BMS800R12HLWC4_B02,BMS600R12HLWC4_B01,BMS950R12HLWC4_B02,BMS700R12HLWC4_B01,BMF800R12FC4,BMF600R12FC4,BMF950R08FC4,BMF700R08FC4,BMZ200R12TC4,BMZ250R08TC4
 
倾佳电子(Changer Tech)专业分销BASiC基本™(BASiC Semiconductor)碳化硅(SiC)MOSFET专用双通道隔离驱动芯片BTD25350,原方带死区时间设置,副方带米勒钳位功能,为碳化硅功率器件SiC MOSFET驱动而优化。
BTD25350适用于以下碳化硅功率器件应用场景:
充电桩中后级LLC用SiC MOSFET 方案
光伏储能BUCK-BOOST中SiC MOSFET方案
高频APF,用两电平的三相全桥SiC MOSFET方案
空调压缩机三相全桥SiC MOSFET方案
OBC后级LLC中的SIC MOSFET方案
服务器交流侧图腾柱PFC高频臂GaN或者SiC方案
 
碳化硅MOSFET具有优秀的高频、高压、高温性能,是目前电力电子领域最受关注的宽禁带功率半导体器件。在电力电子系统中应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件,可提高功率回路开关频率,提升系统效率及功率密度,降低系统综合成本。适用于高性能变换器电路与数字化先进控制、高效率 DC/DC 拓扑与控制,双向 AC/DC、电动汽车车载充电机(OBC)/双向OBC、车载电源、集成化 OBC ,双向 DC/DC、多端口 DC/DC 拓扑与控制,直流配网的电力电子变换器。
 
基本™(BASiC Semiconductor)第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圆平台进行开发,比上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面表现更为出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封装的产品基础上,基本™(BASiC Semiconductor)还推出了带有辅助源极的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封装的碳化硅MOSFET器件,以更好地满足客户需求。
 
基本™(BASiC Semiconductor)第二代碳化硅MOSFET亮点
更低比导通电阻:第二代碳化硅MOSFET通过综合优化芯片设计方案,比导通电阻降低约40%,产品性能显著提升。
 
更低器件开关损耗:第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了约60%,开关损耗降低了约30%。反向传输电容Crss降低,提高器件的抗干扰能力,降低器件在串扰行为下误导通的风险。
 
更高可靠性:第二代碳化硅MOSFET通过更高标准的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核,产品可靠性表现出色。
 
更高工作结温:第二代碳化硅MOSFET工作结温达到175°C,提高器件高温工作能力。
 
 

联系方式
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